存儲(chǔ)市場(chǎng)近日出現(xiàn)分化行情。NAND Flash（閃存）和DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存）作為最主要的存儲(chǔ)芯片，多類消費(fèi)電子需求疲弱背景下，多家NAND Flash廠商仍在減產(chǎn)，另一邊，因AI服務(wù)器需求增加，與AI場(chǎng)景高算力需求匹配的HBM（高帶寬內(nèi)存）芯片需求上升，助力DRAM整體需求復(fù)蘇。

8月11日，第一財(cái)經(jīng)記者從深圳華強(qiáng)北多家電腦裝機(jī)商家了解到，NAND Flash主要產(chǎn)品之一固態(tài)硬盤價(jià)格持續(xù)下跌，目前已是年內(nèi)低點(diǎn)。

反映至NAND Flash廠商業(yè)績，鎧俠8月9日發(fā)布的2023年Q1財(cái)報(bào)顯示，截至今年6月30日的最新季度里，其收入2511億日元，同比減少31.6%，營業(yè)利潤虧損1308億日元，平均售價(jià)環(huán)比下降。

(資料圖)

需求不振下，日媒近日?qǐng)?bào)道稱鎧俠在日本巖手縣北上市新建的廠房將推遲投入使用。今年7月末，三星和SK海力士則在財(cái)報(bào)會(huì)上釋放NAND產(chǎn)量繼續(xù)下調(diào)的信號(hào)。

另一邊，DRAM走出不同行情，AI浪潮催化下，DRAM行情好轉(zhuǎn)的跡象更明顯，隨著HBM存儲(chǔ)成為行業(yè)熱點(diǎn)，三星、SK海力士均傳出擴(kuò)產(chǎn)HBM產(chǎn)能的消息。

“DRAM行情比NAND Flash更早復(fù)蘇，原因包括DRAM前期減產(chǎn)更猛烈、DRAM在智能手機(jī)等終端應(yīng)用中的需求相對(duì)剛性，AI場(chǎng)景對(duì)HBM的需求也有所增加。”Counterpoint研究副總監(jiān)BradyWang告訴記者。

目前，HBM市場(chǎng)基本被SK海力士、美光和三星三家DRAM大廠瓜分，但國內(nèi)相關(guān)產(chǎn)業(yè)鏈公司近期也受到資本關(guān)注。從市場(chǎng)谷底望向后市，這股AI風(fēng)潮下，國內(nèi)存儲(chǔ)相關(guān)廠商能受益幾何、行情復(fù)蘇何時(shí)到來？

閃存廠商減產(chǎn)

存儲(chǔ)器在消費(fèi)電子市場(chǎng)的價(jià)格仍在低點(diǎn)。華強(qiáng)北多位電腦裝機(jī)商家稱，近期CPU、主板等電腦部件價(jià)格波動(dòng)上漲，但固態(tài)硬盤價(jià)格較穩(wěn)，目前已是年內(nèi)低點(diǎn)。普通2.5寸1T固態(tài)硬盤售價(jià)低至300元左右，品質(zhì)更高、讀寫速度更快的型號(hào)價(jià)格400~500元，普通2T固態(tài)硬盤售價(jià)在500元左右。

有商家稱，去年還售400、500百元的固態(tài)硬盤，如今跌至200多元。更久以前，固態(tài)硬盤價(jià)格約每1G銷售0.8元，現(xiàn)已大打折扣。

固態(tài)硬盤是以NAND Flash為介質(zhì)的一類主要存儲(chǔ)產(chǎn)品，應(yīng)用于PC、筆記本電腦、數(shù)據(jù)中心等場(chǎng)景，此外，U盤、手機(jī)等移動(dòng)設(shè)備也多采用NAND Flash介質(zhì)存儲(chǔ)。消費(fèi)電子市場(chǎng)和數(shù)據(jù)中心需求偏弱背景下，多類NandFlash產(chǎn)品降價(jià)，廠商近期仍在控制產(chǎn)能。

三星相關(guān)負(fù)責(zé)人已在7月底的電話財(cái)報(bào)會(huì)上稱，三星將減產(chǎn)部分DRAM和NAND產(chǎn)品，尤其是NAND產(chǎn)品。SK海力士稱，考慮到較高的行業(yè)庫存水平和NAND的盈利能力低于DRAM，將進(jìn)一步削減NAND產(chǎn)量。鎧俠在財(cái)報(bào)中稱，因閃存制造商生產(chǎn)調(diào)整，供需平衡狀況逐步改善，客戶庫存改善及PC、智能手機(jī)內(nèi)存增長有望修復(fù)閃存需求。但鎧俠同時(shí)承認(rèn)，因庫存調(diào)整和企業(yè)IT支出疲軟，2023年度數(shù)據(jù)中心和企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤需求將放緩，市場(chǎng)復(fù)蘇延遲下，鎧俠將根據(jù)市場(chǎng)情況調(diào)整生產(chǎn)。

據(jù)慢慢買比價(jià)平臺(tái)，DRAM主要產(chǎn)品之一電腦內(nèi)存條在主流電商平臺(tái)上也處于價(jià)格低位。京東32GB筆記本內(nèi)存熱賣榜中，一款金士頓內(nèi)存自今年下半年起便售540元左右，相比年初降價(jià)約50元，一款三星內(nèi)存年內(nèi)波動(dòng)降價(jià)，目前售574元。

但相比之下，DRAM需求及價(jià)格回暖速度仍快于NAND Flash。DRAM廠商南亞科技高管在7月的財(cái)報(bào)會(huì)議上稱，DRAM需求在2023年第二季度觸底，預(yù)計(jì)2023年下半年將出現(xiàn)輕微或溫和的需求反彈。集邦咨詢此前則預(yù)計(jì)，第三季度NAND Flash均價(jià)下跌約3~8%，DRAM均價(jià)跌幅將收斂至0~5%。此外，HBM近期需求火爆，逐漸催化DRAM行情回暖。

HBM成市場(chǎng)新寵

HBM是一種基于3D堆疊工藝的高效能DRAM，通過硅通孔（TSV）技術(shù)堆疊后可與GPU一起封裝，擁有更高帶寬和較低耗能。處理器高算力情況下，采用HBM可以避免因存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)訪問速度慢于處理器數(shù)據(jù)處理速度導(dǎo)致的“內(nèi)存墻”。

2023年以來，科技大廠接連布局AI大模型，掀起“百模大戰(zhàn)”。AI訓(xùn)練多使用先進(jìn)GPU（圖形處理器），HBM則是此類GPU存儲(chǔ)單元的理想解決方案。集邦咨詢分析稱，NVIDIA、AMD、Intel等高端AI芯片大多選擇搭載HBM。2023年至2024年AI建設(shè)爆發(fā)期，大量需求集中在AI訓(xùn)練芯片上，推升HBM使用量。2023年，HBM即便在原廠擴(kuò)大產(chǎn)能的情況下，仍無法完全滿足客戶需求。從各原廠規(guī)劃看，預(yù)計(jì)2024年HBM供給位元量將年增長105%。

HBM主要玩家是SK海力士、三星和美光。SK海力士HBM3產(chǎn)品目前領(lǐng)先，但三星和美光已在發(fā)力，市場(chǎng)競爭趨于激烈。

今年7月底，美光宣布推出業(yè)界首款8層堆疊的24GB容量第二代HBM3內(nèi)存。SK海力士和三星則釋放擴(kuò)產(chǎn)HBM產(chǎn)能的消息。SK海力士高管在7月的財(cái)報(bào)電話會(huì)中稱，為了在有限的資本支出預(yù)算內(nèi)確保高密度DDR5/HBM的生產(chǎn)能力，將努力提高生產(chǎn)率并減少在其他方面的投資。

據(jù)集邦咨詢數(shù)據(jù)，2022年SK海力士、三星和美光HBM市占率為50%、40%、10%，隨著SK海力士和三星擴(kuò)產(chǎn)及客戶加單，預(yù)計(jì)2024年SK海力士、三星市占率差距縮小，兩家共占約95%份額。

隨著HBM成為市場(chǎng)焦點(diǎn)，部分國內(nèi)產(chǎn)業(yè)鏈公司也受到市場(chǎng)關(guān)注。民生證券研報(bào)稱，HBM拉動(dòng)上游設(shè)備及材料用量需求提升，相關(guān)產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)有望受益，國內(nèi)產(chǎn)業(yè)鏈也在迅速跟進(jìn)。不過，包括雅克科技、聯(lián)瑞新材、香農(nóng)芯創(chuàng)在內(nèi)的多家存儲(chǔ)芯片相關(guān)產(chǎn)業(yè)鏈公司在7月上旬股價(jià)拉升后，近日均有所回調(diào)。

BradyWang告訴記者，鑒于目前HBM廠商限于SK海力士、三星和美光，國內(nèi)存儲(chǔ)廠商短期內(nèi)參與HBM產(chǎn)業(yè)鏈的機(jī)會(huì)比較有限，此外，因目前HBM需求較急、利潤較高，廠商更需要穩(wěn)定的供應(yīng)商而不會(huì)優(yōu)先考慮降成本，短期國內(nèi)廠商新進(jìn)入產(chǎn)業(yè)鏈的機(jī)會(huì)也有限，但未來存在機(jī)會(huì)。而放在整個(gè)AI浪潮中，材料、設(shè)備等多類國內(nèi)產(chǎn)業(yè)鏈廠商均有機(jī)會(huì)受益于AI服務(wù)器需求增加。

例如，AI服務(wù)器需求增長未來有可能整體拉動(dòng)存儲(chǔ)器需求。美光此前曾表示，AI服務(wù)器對(duì)DRAM和NAND Flash的容量需求是傳統(tǒng)服務(wù)器的8倍和3倍。

BradyWang還表示，雖然AI服務(wù)器市場(chǎng)增長快，但AI服務(wù)器與傳統(tǒng)服務(wù)器或PC的量級(jí)不同，HBM在DRAM市場(chǎng)中的體量有限。隨著廠商建廠擴(kuò)產(chǎn)，相關(guān)HBM產(chǎn)能放量應(yīng)等到2025年。未來DRAM市場(chǎng)恢復(fù)增長還有賴于PC、手機(jī)等產(chǎn)品需求恢復(fù)。

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